1. IKW50N60TA
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厂商型号

IKW50N60TA 

产品描述

IGBT Transistors 600V 50A 100nA

内部编号

173-IKW50N60TA

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:100
1+¥42.2234
25+¥39.2184
100+¥37.6004
500+¥36.1364
1000+¥34.3643
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:257
1+¥52.1335
10+¥47.0979
100+¥38.9903
500+¥33.9523
1000+¥29.5714
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IKW50N60TA产品详细规格

规格书 IKW50N60TA datasheet 规格书
IKW50N60T
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 240
IGBT 型 Trench and Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- 集电极电流(Ic)(最大) 80A
功率 - 最大 333W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
包装材料 Tube
栅极电荷 310nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 80A
安装类型 Through Hole
开关能量 2.6mJ
标准包装 240
时间Td(开/关) @ 25°C 26ns/299ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247-3
反向恢复时间(trr ) 143ns
封装 Tube
功率 - 最大 333W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 Trench and Field Stop
测试条件 400V, 50A, 7 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 150A
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
连续集电极电流在25 C 50 A
系列 IKW50N60
集电极 - 发射极饱和电压 1.95 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
最大栅极发射极电压 20 V
最低工作温度 - 40 C
零件号别名 IKW50N60TAFKSA1 SP000647366
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 240
连续集电极电流Ic最大 50 A
技术 Si
品牌 Infineon Technologies
Pd - Power Dissipation 333 W
配置 Single

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